ფატიმა ბუტაევა

მასალა ვიკიპედიიდან — თავისუფალი ენციკლოპედია
ფატიმა ბუტაევა
ოს. Бутаты Асланбеджы чызг Фатимае
დაბ. თარიღი 1 დეკემბერი, 1907(1907-12-01)
დაბ. ადგილი ალაგირი, რუსეთის იმპერია
გარდ. თარიღი 19 ივნისი, 1992(1992-06-19) (84 წლის)
გარდ. ადგილი მოსკოვი
დასაფლავებულია კოტლიაკოვოს სასაფლაო
მოქალაქეობა  სსრკ
საქმიანობა ფიზიკოსი
მუშაობის ადგილი მოსკოვის ენერგეტიკული ინსტიტუტი და სრულიად რუსეთის ელექტროტექნიკური ინსტიტუტი
ალმა-მატერი მოსკოვის სახელმწიფო პედაგოგიური უნივერსიტეტი და მოსკოვის მეორე სახელმწიფო უნივერსიტეტი
სამეცნიერო ხარისხი ტექნიკურ მეცნიერებათა კანდიდატი
ჯილდოები სტალინური პრემია, საპატიო ნიშნის ორდენი და შრომითი მამაცობის მედალი

ფატიმა ბუტაევა (ოს. Бутаты Асланбеджы чызг Фатимæ, დ. 1 დეკემბერი, 1907, სალუგარდანი, თერგის ოლქი, რუსეთის იმპერია — გ. 19 ივნისი, 1992, მოსკოვი) — საბჭოთა ფიზიკოსი, მასწავლებელი, მეორე ხარისხის სტალინური პრემიის ლაურეატი (1951).

ბიოგრაფია[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

დაიბადა ცნობილი იურისტისა და ჟურნალისტის ასლანბეკ ბუტაევის ოჯახში.[1] ბიძა — ყაზბეკ ბუტაევი. დედამისი გარდაიცვალა, როდესაც ფატიმა შვიდი წლის იყო. 1925 წელს ჩაირიცხა გორსკის პედაგოგიურ ინსტიტუტში, 1926 წელს სწავლა გააგრძელა მოსკოვის მეორე სახელმწიფო უნივერსიტეტის პედაგოგიური ფაკულტეტის ფიზიკა-მათემატიკის განყოფილებაში. 1932 წელს დაამთავრა უნივერსიტეტი და მუშაობა დაიწყო კუიბიშევში მათემატიკის მასწავლებლად. იმავე წელს იგი დაბრუნდა მოსკოვში, სადაც ორი წლის განმავლობაში მეტროსტროის სასწავლო ცენტრის ტექნიკურ სკოლაში მუშაობდა თეორიული მექანიკის მასწავლებლად. 1934 წელს, მან მუშაობა დაიწყო საკავშირო ელექტროტექნიკურ ინსტიტუტში (VEI) სინათლის წყაროების ლაბორატორიაში, VEI–ში ინჟინერად მუშაობის დაწყების შემდეგ, ცოტა ხანში ის გახდა ლაბორატორიის ხელმძღვანელი.[1][2]

1937 წელს რეპრესირებული იქნა მისი მამა[3] და ბიძა კ. ს. ბუტაევი [4] (რეაბილიტაცია მოხდა 1956 წელს) და ამიტომ ერთი წლის განმავლობაში მას ემუქრებოდა ინსტიტუტიდან გათავისუფლების საფრთხე, მაგრამ საბოლოოდ იგი არ გაათავისუფლეს.

ომის დროს იგი ევაკუირებული იქნა სვერდლოვსკში.

1943 წელს მან განაახლა მუშაობა ლუმინესცენციის შესწავლაზე. 1946 წელს, გაზის გამონადენისა და ლუმინესცენციის სფეროში მუშაობის შედეგების საფუძველზე, დაიცვა დისერტაცია ტექნიკურ მეცნიერებათა კანდიდატის ხარისხზე.[1]

ორგანიზაციის შემდეგ 1951 წელს ახალი გაერთიანებული სამეცნიერო კვლევითი სინათლის ინსტიტუტის (VNISI) VEI-ს საფუძველზე [5], მან დაიწყო იქ მუშაობა. ოცდახუთ წელზე მეტი ხნის განმავლობაში ამ ინსტიტუტში იგი ხელმძღვანელობდა ფლუორესცენტური ნათურების ლაბორატორიას. მისი ხელმძღვანელობით მომზადდა და წარმატებით იქნა დაიცული მრავალი დისერტაცია ტექნიკურ მეცნიერებათა კანდიდატის ხარისხის მისაღებად. იყო აკადემიური საბჭოს წევრი და VNISI-ს სამეცნიერო-ტექნიკური საბჭოს წევრი, მუშაობდა სსრკ მეცნიერებათა აკადემიის კომისიის წევრად.

გარდაიცვალა 1992 წლის 19 ივნისს. დაკრძალეს მოსკოვის კოტლიაკოვსკოეს სასაფლაოზე.[5]

სამეცნიერო საქმიანობა[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

იგი ეწეოდა გაზის განმუხტვის ფიზიკის კვლევას და იონიზირებული აირების სპექტრული შემადგენლობისა და ინტენსივობის შესწავლას დინებისა და წნევის ცვლილებების ფართო სპექტრში. ვ. ა. ფაბრიკანთან ერთად მან შეიმუშავა და გამოიყენა ორიგინალური მეთოდი პლაზმაში ფოტონების დიფუზიის შესასწავლად, რომელიც ეფუძნება ლუმინესცენტური ზონდების გამოყენებას. რამდენიმე წლის განმავლობაში ის მუშაობდა სპექტრის ოპტიკურ რეგიონში სხვადასხვა ფოსფორის ლუმინესცენციის შესწავლაზე. ამ სამუშაოს პრაქტიკული შედეგი იყო სსრკ-ში პირველი ფლუორესცენტური ნათურების შემუშავება და წარმოების დაწყება. 1951 წელს, ამ ტიპის ნათურების შემუშავებისთვის, ფატიმა ბუტაევა ს.ი. ვავილოვთან, ვ. ლ. ლევშინთან, მ.ა. კონსტანტინოვა-შლეზინგერთან, ვ. ა. ფაბრიკანტთან და ვ. ი.დოლგოპოლოვთან ერთად, გახდა მეორე ხარისხის სტალინის პრემიის ლაურეატი.[1][2]

ვ.ა.ფაბრიკანტთან და მ.მ.ვუდინსკისთან ერთად მან ჩაატარა პირველი კვლევა უარყოფითი სინათლის შთანთქმის შესახებ. აღმოჩნდა, რომ როდესაც სინათლე ვრცელდება ინვერსიული პოპულაციის მქონე გარემოში, მისი ინტენსივობა ექსპონენტურად იზრდება. მიღებულ შედეგებზე დაყრდნობით ავტორებმა ჩამოაყალიბეს სინათლის გაძლიერების ახალი პრინციპი, რომელიც მოგვიანებით გახდა ლაზერის შექმნის საფუძველი.[2][6]

1951 წელს ფატიმა ბუტაევამ, ვ.ა. ფაბრიკანტმა და მ.მ. ვუდინსკიმ შეიტანეს განაცხადი სამეცნიერო აღმოჩენისთვის და ორი განაცხადი გამოგონებაზე „ელექტრომაგნიტური ტალღების გამაძლიერებელი მეთოდი“ და “გაძლიერებული ელექტრომაგნიტური ტალღის მრავალჯერადი გამოყენება არათანაბარ მედიაში“.

სინათლის გაძლიერების კვანტურ მეთოდზე აღნიშნული სამუშაოები ბევრ რამეში უსწრებდა დროს, შესაბამისად ამ მიუღია ბდროული და ადეკვატური შეფასება. ამგვარად, განაცხადების გამაძლიერებელი მეთოდის შესახებ განცხადებაზე დადებითი გადაწყვეტილება მიღებულ იქნა მხოლოდ 1959 წელს, ანუ რეგისტრაციიდან რვა წლის შემდეგ.

შედეგად, თუმცა მნიშვნელოვანი დროის დაგვიანებით, ნაშრომის მეცნიერულმა სიახლემ და მისმა რევოლუციურმა ბუნებამ სრული აღიარება მიიღო. 1964 წელს ფატიმა ბუტაევას, ვ.ა.ფაბრიკანტს და მ.მ.ვუდინსკის მიენიჭათ დიპლომი სამეცნიერო აღმოჩენისთვის.

გამოგონება[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

  • „დაბალი წნევის აირგანმუხტვადი ნათურა“
  • „დაბალი წნევის ლუმინესცენციური ნათურა“ და სხვა.

ჯილდოები[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

ლიტერატურა[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

  • Бутаев К. С. Избранное. — Владикавказ: Иристон, 2003.
  • Дунская И. М. Возникновение квантовой электроники. — М.: Наука, 1974.
  • Сахаров А. Д. Воспоминания // Знамя, 1991, ч. 1, гл. 5.

სქოლიო[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

  1. 1.0 1.1 1.2 1.3 Фатима Асланбековна Бутаева, к 100-летию со дня рождения, Владикавказ: Вестник Владикавказского научного центра, 2007, № 4, გვ. 66-67.
  2. 2.0 2.1 2.2 Бутаев Б., Морозов В., У истоков создания лазера, М.: Наука и жизнь, 2007, № 12
  3. Асланбек Саввич Бутаев დაარქივებული 2011-01-31 საიტზე Wayback Machine.  — Из Книги памяти Республики Северная Осетия-Алания
  4. Казбек Саввич Бутаев დაარქივებული 2012-10-06 საიტზე Wayback Machine.  — на сайте «Хронос»
  5. Изобретатель дневного света сама была как луч света დაარქივებული 2016-03-05 საიტზე Wayback Machine.  — На сайте информационно-аналитического издания «Осетинское радио и телевидение»
  6. Научное открытие «Явление усиления электромагнитных волн (когерентное излучение)» დაარქივებული 2012-03-21 საიტზე Wayback Machine. на сайте «Научные открытия России»